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一种基于门极电压阈值检测的SiC MOSFET结温在线监测方法

张擎昊 张品佳

中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(18):5742-5750,中插3,10.
中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(18):5742-5750,中插3,10.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.200609

一种基于门极电压阈值检测的SiC MOSFET结温在线监测方法

A Novel On-line Method for Monitoring the Junction Temperature of SiC MOSFET Based on Threshold Voltage

张擎昊 1张品佳1

作者信息

  • 1. 电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室(清华大学),北京市 海淀区 100084
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅器件/金属–氧化物半导体场效应晶体管/可靠性/在线监测/结温

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张擎昊,张品佳..一种基于门极电压阈值检测的SiC MOSFET结温在线监测方法[J].中国电机工程学报,2020,40(18):5742-5750,中插3,10.

基金项目

国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(51822705). (51822705)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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