中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(18)：5751-5759,中插4,10.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.200511
SiC MOSFET短路特性及过流保护研究
Research on Short-circuit Characteristics and Overcurrent Protection of SiC MOSFET
王占扩 1童朝南 1黄伟超2
作者信息
- 1. 北京科技大学自动化学院,北京市 海淀区 100083
- 2. 北京市电力节能关键技术协同创新中心(北方工业大学),北京市 石景山区 100144
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摘要
关键词
SiC MOSFET/特性短路/过流保护/VDS(ON)检测/VGS检测分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王占扩,童朝南,黄伟超..SiC MOSFET短路特性及过流保护研究[J].中国电机工程学报,2020,40(18):5751-5759,中插4,10.
