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一种改进SiC MOSFET开关性能的有源驱动电路

李先允 卢乙 倪喜军 王书征 张宇 唐昕杰

中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(18):5760-5769,中插5,11.
中国电机工程学报2020,Vol.40Issue(18):5760-5769,中插5,11.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.200639

一种改进SiC MOSFET开关性能的有源驱动电路

An Active Gate Driver for Improving Switching Performance of SiC MOSFET

李先允 1卢乙 1倪喜军 1王书征 1张宇 1唐昕杰1

作者信息

  • 1. 南京工程学院,江苏省 南京市 211167
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摘要

关键词

碳化硅金属氧化物半导体场效应管/有源驱动电路/过冲/振荡

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李先允,卢乙,倪喜军,王书征,张宇,唐昕杰..一种改进SiC MOSFET开关性能的有源驱动电路[J].中国电机工程学报,2020,40(18):5760-5769,中插5,11.

基金项目

江苏省重点研发计划项目(BE2018130) (BE2018130)

江苏省产学研合作项目(BY2019039). (BY2019039)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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