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基于GARCH模型的IGBT寿命预测OA北大核心CSCDCSTPCD

Lifetime Prediction of IGBT Based on GARCH Model

中文摘要

绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视.针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化模型建立方法,并利用建立的老化模型对IGBT模块的剩余使用寿命进行预测.首先介绍IGBT的失效机理,结合现有的加速老化数据,确定的以集电极-发射极通态压降作为剩余使用寿命预测依据.建立…查看全部>>

白梁军;黄萌;饶臻;潘尚智;查晓明;刘国友

武汉大学电气与自动化学院,湖北省 武汉市 430072武汉大学电气与自动化学院,湖北省 武汉市 430072武汉大学电气与自动化学院,湖北省 武汉市 430072武汉大学电气与自动化学院,湖北省 武汉市 430072武汉大学电气与自动化学院,湖北省 武汉市 430072新型功率半导体器件国家重点实验室 (株洲中车时代电气股份有限公司),湖南省 株洲市 412001

信息技术与安全科学

IGBT模块RUL预测失效机理GARCH模型

《中国电机工程学报》 2020 (18)

5787-5795,中插8,10

国家自然科学基金重点项目(51637007).

10.13334/j.0258-8013.pcsee.200648

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