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面向显示应用的微米发光二极管外延和芯片关键技术综述

潘祚坚 康香宁 李顺峰 王琦 张国义 沈波 陈志忠 焦飞 詹景麟 陈毅勇 陈怡帆 聂靖昕 赵彤阳 邓楚涵

物理学报2020，Vol.69Issue(19)：64-87,24.
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物理学报2020，Vol.69Issue(19)：64-87,24.DOI:10.7498/aps.69.20200742

面向显示应用的微米发光二极管外延和芯片关键技术综述

A review of key technologies for epitaxy and chip process of micro light-emitting diodes in display application

潘祚坚 1康香宁 1李顺峰 2王琦 2张国义 1沈波 2陈志忠 1焦飞 1詹景麟 1陈毅勇 3陈怡帆 1聂靖昕 1赵彤阳 1邓楚涵1

作者信息

  • 1. 北京大学物理学院, 人工微结构与介观物理国家重点实验室, 北京 100871
  • 2. 北京大学东莞光电研究院, 东莞 523808
  • 3. 北京大学物理学院, 核物理与核技术国家重点实验室, 北京 100871
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摘要

关键词

微米发光二极管/显示/外延/芯片/检测

引用本文复制引用

潘祚坚,康香宁,李顺峰,王琦,张国义,沈波,陈志忠,焦飞,詹景麟,陈毅勇,陈怡帆,聂靖昕,赵彤阳,邓楚涵..面向显示应用的微米发光二极管外延和芯片关键技术综述[J].物理学报,2020,69(19):64-87,24.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400602)、国家自然科学基金(批准号:61674005)、广东省重点科技计划(批准号:2016B010111001)和河南省科技计划(批准号:161100210200)资助的课题. （批准号:2016YFB0400602）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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