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二维Nb2SiTe4基化合物稳定性、电子结构和光学性质的第一性原理研究

罗雄 孟威威 陈国旭佳 管晓溪 贾双凤 郑赫 王建波

物理学报2020,Vol.69Issue(19):281-289,9.
物理学报2020,Vol.69Issue(19):281-289,9.DOI:10.7498/aps.69.20200848

二维Nb2SiTe4基化合物稳定性、电子结构和光学性质的第一性原理研究

First-principles study of stability, electronic and optical properties of two-dimensional Nb2SiTe4-based materials

罗雄 1孟威威 1陈国旭佳 1管晓溪 1贾双凤 1郑赫 1王建波2

作者信息

  • 1. 武汉大学物理科学与技术学院, 电子显微镜中心, 人工微结构教育部重点实验室和高等研究院, 武汉 430072
  • 2. 武汉大学苏州研究院, 苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

Nb2SiTe4/元素替换/应力工程/第一性原理

引用本文复制引用

罗雄,孟威威,陈国旭佳,管晓溪,贾双凤,郑赫,王建波..二维Nb2SiTe4基化合物稳定性、电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].物理学报,2020,69(19):281-289,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:51871169,51671148,11674251,51501132,51601132)、 江苏省自然科学基金(批准号:BK20191187)、中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2042019kf0190)、深圳市科创委基础研究面上项目(批准号:JCYJ20190808150407522)和中国博士后科学基金(批准号:2019M652685)资助的课题. (批准号:51871169,51671148,11674251,51501132,51601132)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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