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F,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜的制备及掺杂机理研究

王延峰李俊杰谢希成刘晓洁韩冰武晗晗连宁宁杨富宋庆功裴海林

物理学报2020，Vol.69Issue(19)：306-314,9.

物理学报2020，Vol.69Issue(19)：306-314,9.DOI:10.7498/aps.69.20200580

F,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜的制备及掺杂机理研究

Insight of the doping mechanism of F and Al co-doped ZnO transparent conductive films

王延峰 ¹李俊杰 ¹谢希成 ¹刘晓洁 ¹韩冰 ¹武晗晗 ¹连宁宁 ¹杨富 ¹宋庆功 ²裴海林³

作者信息

1. 河北北方学院理学院, 新能源科学与技术研究所, 张家口 075000
2. 中国民航大学理学院, 天津 300300
3. 陆军军事交通学院基础部, 天津 300161
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摘要

关键词

F和Al共掺杂ZnO薄膜/磁控溅射/第一性原理计算/太阳电池

引用本文复制引用

王延峰,李俊杰,谢希成,刘晓洁,韩冰,武晗晗,连宁宁,杨富,宋庆功,裴海林..F,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜的制备及掺杂机理研究[J].物理学报,2020,69(19):306-314,9.

基金项目

河北省自然科学基金(批准号:A2019405059)、河北省重点研发计划(批准号:19214301D)、河北北方学院省属高校基本科研业务费(批准号:JYT2019001)、河北北方学院一般项目(批准号:YB2018014)和河北北方学院大学生创新创业训练项目(批准号:201910092010)资助的课题. （批准号:A2019405059）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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