基于工艺偏差的电压调控磁各向异性磁隧道结电学模型及其在读写电路中的应用OA北大核心CSCDCSTPCD
Process deviation based electrical model of voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction and its application in read/write circuits
电压调控磁各向异性磁隧道结(voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction,VCMA-MTJ)作为磁随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)的核心器件,具有读写速度快、功耗低、与CMOS工艺相兼容等优点,现已得到国内外学者的广泛关注.然而随着VCMA-MTJ尺寸不断缩小、MRAM存储容量不断增大,工艺偏差对MTJ性能的影响变得…查看全部>>
金冬月;陈虎;王佑;张万荣;那伟聪;郭斌;吴玲;杨绍萌;孙晟
北京工业大学信息学部, 北京 100124北京工业大学信息学部, 北京 100124北京航空航天大学微电子学院, 北京 100191北京工业大学信息学部, 北京 100124北京工业大学信息学部, 北京 100124北京工业大学信息学部, 北京 100124北京工业大学信息学部, 北京 100124北京工业大学信息学部, 北京 100124北京工业大学信息学部, 北京 100124
磁隧道结电压调控磁各向异性工艺偏差读写电路
《物理学报》 2020 (19)
基于深层神经网络模型及其外推技术的微波器件自动建模方法
348-358,11
国家自然科学基金(批准号:61006059,61774012,61901010)、北京市自然科学基金(批准号:4143059,4192014,4204092)、北京市教委科技发展计划项目(批准号:KM201710005027)、北京市博士后科学基金(批准号:2015ZZ-11)、中国博士后科学基金(批准号:2015M580951、2019M650404)和北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金(批准号:KYJJ2016008)资助的课题.
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