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基于工艺偏差的电压调控磁各向异性磁隧道结电学模型及其在读写电路中的应用

金冬月陈虎王佑张万荣那伟聪郭斌吴玲杨绍萌孙晟

物理学报2020，Vol.69Issue(19)：348-358,11.

物理学报2020，Vol.69Issue(19)：348-358,11.DOI:10.7498/aps.69.20200228

基于工艺偏差的电压调控磁各向异性磁隧道结电学模型及其在读写电路中的应用

Process deviation based electrical model of voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction and its application in read/write circuits

金冬月 ¹陈虎 ¹王佑 ²张万荣 ¹那伟聪 ¹郭斌 ¹吴玲 ¹杨绍萌 ¹孙晟¹

作者信息

1. 北京工业大学信息学部, 北京 100124
2. 北京航空航天大学微电子学院, 北京 100191
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摘要

关键词

磁隧道结/电压调控磁各向异性/工艺偏差/读写电路

引用本文复制引用

金冬月,陈虎,王佑,张万荣,那伟聪,郭斌,吴玲,杨绍萌,孙晟..基于工艺偏差的电压调控磁各向异性磁隧道结电学模型及其在读写电路中的应用[J].物理学报,2020,69(19):348-358,11.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61006059,61774012,61901010)、北京市自然科学基金(批准号:4143059,4192014,4204092)、北京市教委科技发展计划项目(批准号:KM201710005027)、北京市博士后科学基金(批准号:2015ZZ-11)、中国博士后科学基金(批准号:2015M580951、2019M650404)和北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金(批准号:KYJJ2016008)资助的课题. （批准号:61006059,61774012,61901010）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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