中南大学学报（自然科学版）2020，Vol.51Issue(9)：2480-2488,9.DOI:10.11817/j.issn.1672-7207.2020.09.013
异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型
Surface potential model for amorphous InGaZnO thin-film transistors with independent symmetric double-gate
摘要
关键词
双栅薄膜晶体管/表面势/解析模型/铟镓锌氧化物分类
数理科学引用本文复制引用
何伊妮,邓联文,甄丽营,覃婷,廖聪维,罗衡,黄生祥..异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型[J].中南大学学报（自然科学版）,2020,51(9):2480-2488,9.基金项目
国家重点研发计划项目(2017YFA0204600) （2017YFA0204600）
中南大学中央高校基本科研业务资助项目(2019zzts424) （2019zzts424）
