| 注册
首页|期刊导航|人工晶体学报|多晶硅绕镀层的去除工艺研究

多晶硅绕镀层的去除工艺研究

张婷 刘大伟 宋志成 倪玉凤 杨露 刘军保

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(9):1641-1645,5.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(9):1641-1645,5.

多晶硅绕镀层的去除工艺研究

Research on Surround Coating Removal Technology for Polysilicon

张婷 1刘大伟 1宋志成 1倪玉凤 1杨露 1刘军保1

作者信息

  • 1. 国家电投集团西安太阳能电力有限公司,西安 710000
  • 折叠

摘要

关键词

TOPCon电池/多晶硅绕镀层/腐蚀/硼掺杂/去除工艺

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张婷,刘大伟,宋志成,倪玉凤,杨露,刘军保..多晶硅绕镀层的去除工艺研究[J].人工晶体学报,2020,49(9):1641-1645,5.

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

访问量4
|
下载量0
段落导航相关论文