人工晶体学报2020，Vol.49Issue(9)：1646-1652,7.
二维BN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算
Exploration of n-Type Doping in Two-Dimensional BN Materials:Calculation of Charged Defects Based on First Principles
摘要
关键词
二维BN/n型掺杂/第一性原理/带电缺陷计算/电荷转移能级分类
数理科学引用本文复制引用
刘雪飞,吕兵,罗子江..二维BN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算[J].人工晶体学报,2020,49(9):1646-1652,7.基金项目
国家自然科学基金(11664005,61564002) （11664005,61564002）
贵州省科技合作项目([2013]7019) （[2013]7019）
贵州省科技计划项目(2017-5736-009,2017-7341) （2017-5736-009,2017-7341）
贵州省科技基金(2020,1Y021) （2020,1Y021）
