液晶与显示2020，Vol.35Issue(10)：1026-1035,10.DOI:10.37188/YJYXS20203510.1026
栅极坡度角对TFT器件制程的影响
Influence of gate profile on TFT manufacturing process
刘丹 1闵泰烨 2冯家海 1方亮 1刘毅 2黄中浩 1高坤坤 3吴旭 1田茂坤 1王恺 1张超 1王瑞1
作者信息
- 1. 重庆京东方光电科技有限公司,重庆400700
- 2. 重庆大学物理学院,重庆400044
- 3. 中国科学院重庆绿色智能技术研究院,重庆400714
- 折叠
摘要
关键词
薄膜晶体管/栅极坡度角/台阶覆盖率/信号线断线/栅极腐蚀分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘丹,闵泰烨,冯家海,方亮,刘毅,黄中浩,高坤坤,吴旭,田茂坤,王恺,张超,王瑞..栅极坡度角对TFT器件制程的影响[J].液晶与显示,2020,35(10):1026-1035,10.
