材料科学与工程学报2020，Vol.38Issue(5)：706-710,745,6.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2020.05.003
硫族元素取代法制备原子层厚的MoS2-MoSe2平面异质结
Synthesis of Atomically Thin MoS2-MoSe2 Planar Heterostructure By Chalcogen Substitution
摘要
关键词
过渡金属硫族化合物/硫取代/扫描透射电子显微镜/平面异质结分类
化学化工引用本文复制引用
高万冬,黄威,郑遗凡,金传洪..硫族元素取代法制备原子层厚的MoS2-MoSe2平面异质结[J].材料科学与工程学报,2020,38(5):706-710,745,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(51772265,61721005),国家重大研究计划资助项目(2014CB32500) （51772265,61721005）
