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考虑磁路饱和及交叉耦合效应的内置式永磁同步电机无传感器优化方法

李文真 刘景林

电工技术学报2020,Vol.35Issue(21):4465-4474,10.
电工技术学报2020,Vol.35Issue(21):4465-4474,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191392

考虑磁路饱和及交叉耦合效应的内置式永磁同步电机无传感器优化方法

An Improved Sensorless Method of IPMSM Considering Magnetic Saturation and Cross-Coupling Effect

李文真 1刘景林1

作者信息

  • 1. 西北工业大学自动化学院 西安 710129
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摘要

关键词

高频方波电压信号注入/永磁同步电机/位置检测/磁路饱和/交叉耦合

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李文真,刘景林..考虑磁路饱和及交叉耦合效应的内置式永磁同步电机无传感器优化方法[J].电工技术学报,2020,35(21):4465-4474,10.

基金项目

陕西省重点研发计划资助项目(2020ZDLGY16-09). (2020ZDLGY16-09)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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