电工技术学报2020，Vol.35Issue(21)：4501-4510,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191465
基于全铜工艺的750A/6500V高性能IGBT模块
High Performance 750A/6500V IGBT Module Based on Full-Copper Processes
刘国友 1罗海辉 2张鸿鑫 1王彦刚 3潘昭海1
作者信息
- 1. 新型功率半导体器件国家重点实验室 株洲 412001
- 2. 株洲中车时代电气股份有限公司 株洲 412001
- 3. 株洲中车时代半导体有限公司 株洲 412001
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摘要
关键词
绝缘栅双极型晶体管/铜金属化/铜引线键合/超声焊接分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘国友,罗海辉,张鸿鑫,王彦刚,潘昭海..基于全铜工艺的750A/6500V高性能IGBT模块[J].电工技术学报,2020,35(21):4501-4510,10.
