| 注册
首页|期刊导航|电波科学学报|一种基于CMOS的高集成度太赫兹近场传感器

一种基于CMOS的高集成度太赫兹近场传感器

商德春

电波科学学报2020,Vol.35Issue(5):666-671,6.
电波科学学报2020,Vol.35Issue(5):666-671,6.DOI:10.13443/j.cjors.2019071601

一种基于CMOS的高集成度太赫兹近场传感器

A CMOS highly integrated terahertz near-field sensor

商德春1

作者信息

  • 1. 天津大学微电子学院,天津300072
  • 折叠

摘要

关键词

太赫兹/CMOS/传感器/振荡器/谐振器/探测器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

商德春..一种基于CMOS的高集成度太赫兹近场传感器[J].电波科学学报,2020,35(5):666-671,6.

基金项目

国家重点研发计划(2016YFA0202200) (2016YFA0202200)

电波科学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1005-0388

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文