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S波段高效F类/逆F类GaN HEMT功率放大器设计

邹浩

电波科学学报2020,Vol.35Issue(5):730-737,8.
电波科学学报2020,Vol.35Issue(5):730-737,8.DOI:10.13443/j.cjors.2019011901

S波段高效F类/逆F类GaN HEMT功率放大器设计

Design of S-band high-efficiency class-F/class-F-1 GaN HEMT power amplifiers

邹浩1

作者信息

  • 1. 天津大学,天津300072
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摘要

关键词

功率放大器/高效率/F类/逆F类/GaN HEMT/功率附加效率(PAE)

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

邹浩..S波段高效F类/逆F类GaN HEMT功率放大器设计[J].电波科学学报,2020,35(5):730-737,8.

电波科学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1005-0388

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