|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|人工晶体学报|碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟

碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟

石爱红 李源 艾文森

人工晶体学报2020，Vol.49Issue(10)：1787-1793,1799,8.
✕
人工晶体学报2020，Vol.49Issue(10)：1787-1793,1799,8.

碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟

Epitaxial Growth Mechanism of SiC on the Vicinal Surface Simulated by Kinetic Monte Carlo

石爱红 1李源 2艾文森3

作者信息

  • 1. 青海民族大学化学化工学院,西宁 810007
  • 2. 青海民族大学能源与动力工程系,西宁 810007
  • 3. 西安交通大学能源与动力工程学院,西安 710049
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/动力学蒙特卡罗法/外延生长/晶体生长/岛核密度

分类

数理科学

引用本文复制引用

石爱红,李源,艾文森..碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J].人工晶体学报,2020,49(10):1787-1793,1799,8.

基金项目

青海省自然科学基金(2018-ZJ-946Q) （2018-ZJ-946Q）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文