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压接型IGBT器件内部芯片电流测量时罗氏线圈的误差分析及改进方法

彭程 李学宝 顾妙松 赵志斌 唐新灵 崔翔

中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(22)：7388-7397,中插24,11.
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中国电机工程学报2020，Vol.40Issue(22)：7388-7397,中插24,11.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.192021

压接型IGBT器件内部芯片电流测量时罗氏线圈的误差分析及改进方法

Error Analysis and Improvement Method of Rogoswski Coil in Current Measurement of internal Chips in Press-pack IGBT Devices

彭程 1李学宝 1顾妙松 1赵志斌 1唐新灵 2崔翔1

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京市 昌平区 102206
  • 2. 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102209
  • 折叠

摘要

关键词

罗氏线圈/压接型IGBT芯片/电流测量/误差模型/误差解析公式

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

彭程,李学宝,顾妙松,赵志斌,唐新灵,崔翔..压接型IGBT器件内部芯片电流测量时罗氏线圈的误差分析及改进方法[J].中国电机工程学报,2020,40(22):7388-7397,中插24,11.

基金项目

国家自然科学基金–国家电网公司联合基金重点项目资助(U1766219) （U1766219）

国家电网有限公司科技项目资助(520201190095). （520201190095）

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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