电子器件2020，Vol.43Issue(5)：953-958,6.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2020.05.001
具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型
Characterization and On-Current Model of Drain Offset a-IGZO Thin Film Transistors
摘要
关键词
漏端Offset/薄膜晶体管/非晶铟镓锌氧化物/电阻/开态电流模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵金凤,杜孟君,张冬利,王槐生,单奇,王明湘..具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型[J].电子器件,2020,43(5):953-958,6.基金项目
国家自然科学基金面上项目(61974101,61971299) （61974101,61971299）
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题项目(2018KF006,2019KF007) （2018KF006,2019KF007）
