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一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计

王九山 郭兴龙 刘桂芝 夏虎 朱友华

电子器件2020,Vol.43Issue(5):991-996,6.
电子器件2020,Vol.43Issue(5):991-996,6.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2020.05.008

一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计

A Design of Segmented Driver Circuit for Power MOSFET

王九山 1郭兴龙 1刘桂芝 2夏虎 2朱友华1

作者信息

  • 1. 南通大学信息科学技术学院,江苏 南通226000
  • 2. 无锡麟力科技有限公司,江苏 无锡214192
  • 折叠

摘要

关键词

驱动电路/功率MOSFET开关/功率损耗/电磁干扰/DC-DC变换器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王九山,郭兴龙,刘桂芝,夏虎,朱友华..一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计[J].电子器件,2020,43(5):991-996,6.

基金项目

南通大学通科微电子学院支持项目(0702610104) (0702610104)

国家自然基金项目(62074086) (62074086)

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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