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HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响

张哲 于斌 李天保 余春燕 贾伟 郭俊杰 许并社

太原理工大学学报2020,Vol.51Issue(6):789-793,5.
太原理工大学学报2020,Vol.51Issue(6):789-793,5.DOI:10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2020.06.002

HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响

Effect of Growth Temperature and Ammonia Flow on the Crystal Structure and Morphology of InN Synthesized by HCVD

张哲 1于斌 1李天保 1余春燕 2贾伟 1郭俊杰 2许并社1

作者信息

  • 1. 太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024
  • 2. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024
  • 折叠

摘要

关键词

InN/InCl3/HCVD/取向/XRD

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

张哲,于斌,李天保,余春燕,贾伟,郭俊杰,许并社..HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响[J].太原理工大学学报,2020,51(6):789-793,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51672185) (51672185)

山西省自然科学基金资助项目(201801D121101) (201801D121101)

太原理工大学学报

OA北大核心CSTPCD

1007-9432

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