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全SiC/半SiC智能功率模块功耗研究OA

Power loss of full-SiC and hybrid-SiC intelligent power module

中文摘要

研究了全SiC智能功率模块、半SiC智能功率模块和Si智能功率模块的功耗.实验结果发现在20 Hz~90 Hz电机频率条件下,全SiC模块IPM-1功耗最低;全Si模块IPM-4模块功耗最高;只将开关器件替换为SiC-MOS功耗低于只将二级管替换为SiC-SBD;其功耗关系为IPM-1 (SiC-MOS+SiC-SBD)< IPM-2 (SiC-MOS+Si-FRD)< IPM-3 (Si-IGBT+SiC-SBD)< IPM-4 (Si-IGB…查看全部>>

冯宇翔

广东美的制冷设备有限公司 广东顺德528311

信息技术与安全科学

SiC智能功率模块功耗

《家电科技》 2020 (4)

92-94,3

10.19784/j.cnki.issn1672-0172.2020.04.014

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