空间电子技术2020，Vol.17Issue(5)：63-70,8.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2020.05.011
基于130 nm工艺嵌入式SRAM单粒子软错误加固技术研究
The Research of Embedded SRAM SEU Preventing Based on 130 nm CMOS process
张健 1赖晓玲 1周国昌 1巨艇 1王轩1
作者信息
- 1. 中国空间技术研究院西安分院,西安 710000
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摘要
关键词
嵌入式SRAM/单粒子软错误/抗辐照ASIC分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张健,赖晓玲,周国昌,巨艇,王轩..基于130 nm工艺嵌入式SRAM单粒子软错误加固技术研究[J].空间电子技术,2020,17(5):63-70,8.
