| 注册
首页|期刊导航|物理学报|基于分子动力学模拟的铜晶面石墨烯沉积生长机理

基于分子动力学模拟的铜晶面石墨烯沉积生长机理

白清顺 窦昱昊 何欣 张爱民 郭永博

物理学报2020,Vol.69Issue(22):342-350,9.
物理学报2020,Vol.69Issue(22):342-350,9.DOI:10.7498/aps.69.20200781

基于分子动力学模拟的铜晶面石墨烯沉积生长机理

Deposition and growth mechanism of graphene on copper crystal surface based on molecular dynamics simulation

白清顺 1窦昱昊 1何欣 1张爱民 1郭永博1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学机电工程学院, 哈尔滨 150000
  • 折叠

摘要

关键词

石墨烯/分子动力学/沉积生长/机理

引用本文复制引用

白清顺,窦昱昊,何欣,张爱民,郭永博..基于分子动力学模拟的铜晶面石墨烯沉积生长机理[J].物理学报,2020,69(22):342-350,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:51775146,51535003)资助的课题. (批准号:51775146,51535003)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量3
|
下载量0
段落导航相关论文