首页|期刊导航|物理学报|引入籽晶层的物理溅射生长Ga2O3外延薄膜特性研究

引入籽晶层的物理溅射生长Ga2O3外延薄膜特性研究

洪梓凡王少青关云鹤胡启人陈海峰贾一凡祁祺刘英英过立新刘祥泰陆芹李立珺

物理学报2020，Vol.69Issue(22)：388-394,7.

物理学报2020，Vol.69Issue(22)：388-394,7.DOI:10.7498/aps.69.20200810

Characteristics of Ga2O3 epitaxial films on seed layer grown by magnetron sputtering

洪梓凡 ¹王少青 ¹关云鹤 ¹胡启人 ¹陈海峰 ¹贾一凡 ¹祁祺 ¹刘英英 ¹过立新 ¹刘祥泰 ¹陆芹 ¹李立珺¹

作者信息

b-Ga2O3/外延/宽禁带半导体/磁控溅射

洪梓凡,王少青,关云鹤,胡启人,陈海峰,贾一凡,祁祺,刘英英,过立新,刘祥泰,陆芹,李立珺..引入籽晶层的物理溅射生长Ga2O3外延薄膜特性研究[J].物理学报,2020,69(22):388-394,7.

陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2020JM-581)资助的课题. （批准号:2020JM-581）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

访问量0

下载量0

段落导航