现代电子技术2020，Vol.43Issue(23)：164-166,172,4.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2020.23.037
基于GMM逆效应压力传感器的结构设计与研究
Structure design and research of pressure sensor based on GMM inverse effect
摘要
关键词
超磁致伸缩逆效应/闭合磁路/偏置磁场/超磁致伸缩压力传感器/有限元仿真/灵敏度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
崔路飞,王传礼,喻曹丰,熊美俊..基于GMM逆效应压力传感器的结构设计与研究[J].现代电子技术,2020,43(23):164-166,172,4.基金项目
国家自然科学基金项目资助(51675003) （51675003）
中国博士后科学基金资助项目(2019M652159) （2019M652159）
