液晶与显示2020，Vol.35Issue(12)：1264-1269,6.DOI:10.37188/YJYXS20203512.1264
ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善
Preventing method of film residue in PR ashing process based on ICP etcher
查甫德 1陈正伟 1郑载润 1徐纯洁 1李根范 1张木 1崔立加 1冯耀耀 1朱梅花 1杨增乾 1刘增利1
作者信息
- 1. 合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽 合肥230011
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摘要
关键词
感应耦合等离子体/灰化/膜层残留/物理刻蚀/氧化分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
查甫德,陈正伟,郑载润,徐纯洁,李根范,张木,崔立加,冯耀耀,朱梅花,杨增乾,刘增利..ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善[J].液晶与显示,2020,35(12):1264-1269,6.
