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氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响

王智栋 刘云 彭新村 邹继军 朱志甫 邓文娟

发光学报2020,Vol.41Issue(3):253-258,6.
发光学报2020,Vol.41Issue(3):253-258,6.DOI:10.3788/fgxb20204103.0253

氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响

Effect of Oxygen Plasma Treatment on Monolayer Self-assembled SiO2 Nanosphere Thin Films on GaAs Surface

王智栋 1刘云 1彭新村 1邹继军 2朱志甫 1邓文娟1

作者信息

  • 1. 东华理工大学 江西省新能源工艺及装备工程技术中心,江西 南昌 330013
  • 2. 东华理工大学 教育部核技术应用工程研究中心, 江西 南昌 330013
  • 折叠

摘要

关键词

SiO2纳米球/氧等离子体/ICP刻蚀

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王智栋,刘云,彭新村,邹继军,朱志甫,邓文娟..氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响[J].发光学报,2020,41(3):253-258,6.

基金项目

国家自然科学基金(11875012,61204071) (11875012,61204071)

江西省新能源工艺及装备工程技术研究中心开放基金(JXNE2018-05)资助项目 (JXNE2018-05)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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