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基于全SiC功率器件的高密度电源设计

张才清漆岳熊才伟

现代雷达2020，Vol.42Issue(11)：79-82,4.

现代雷达2020，Vol.42Issue(11)：79-82,4.DOI:10.16592/j.cnki.1004-7859.2020.11.016

High Density Power Supply Design Based on Full SiC Power Device

张才清 ¹漆岳 ¹熊才伟¹

作者信息

SiC器件/高压直流/高功率密度/高效率

信息技术与安全科学

张才清,漆岳,熊才伟..基于全SiC功率器件的高密度电源设计[J].现代雷达,2020,42(11):79-82,4.

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1004-7859

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