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不同老化试验方法下SiC MOSFET失效机理分析

陈杰 邓二平 赵子轩 吴宇轩 黄永章

电工技术学报2020，Vol.35Issue(24)：5105-5114,10.
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电工技术学报2020，Vol.35Issue(24)：5105-5114,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191409

不同老化试验方法下SiC MOSFET失效机理分析

Failure Mechanism Analysis of SiC MOSFET under Different Aging Test Methods

陈杰 1邓二平 1赵子轩 2吴宇轩 1黄永章1

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京 102206
  • 2. 华电(烟台)功率半导体技术研究院有限公司 烟台 264006
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摘要

关键词

SiC/MOSFET/功率循环试验/导通模式/阈值电压漂移/结温测量/失效机理

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈杰,邓二平,赵子轩,吴宇轩,黄永章..不同老化试验方法下SiC MOSFET失效机理分析[J].电工技术学报,2020,35(24):5105-5114,10.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(52007061). （52007061）

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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