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1200V大容量SiC MOSFET器件研制

刘新宇 李诚瞻 罗烨辉 陈宏 高秀秀 白云

电子学报2020，Vol.48Issue(12)：2313-2318,6.
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电子学报2020，Vol.48Issue(12)：2313-2318,6.DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.004

1200V大容量SiC MOSFET器件研制

Develop ment of 1200V High Capacity SiC MOSFET Devices

刘新宇 1李诚瞻 2罗烨辉 3陈宏 2高秀秀 3白云1

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京 100029
  • 2. 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412001
  • 3. 株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412001
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/MOSFET/栅极bus-bar/JFET注入/大容量器件/低漏电/高温半导体

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘新宇,李诚瞻,罗烨辉,陈宏,高秀秀,白云..1200V大容量SiC MOSFET器件研制[J].电子学报,2020,48(12):2313-2318,6.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No.2017YFB0102302) （973计划）

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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