1200V大容量SiC MOSFET器件研制OA北大核心CSCDCSTPCD
Develop ment of 1200V High Capacity SiC MOSFET Devices
采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.
刘新宇;李诚瞻;罗烨辉;陈宏;高秀秀;白云
中国科学院微电子研究所,北京 100029新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412001株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412001新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412001株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412001中国科学院微电子研究所,北京 100029
信息技术与安全科学
碳化硅MOSFET栅极bus-barJFET注入大容量器件低漏电高温半导体
《电子学报》 2020 (12)
2313-2318,6
国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No.2017YFB0102302)
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