人工晶体学报2020，Vol.49Issue(11)：1953-1969,17.
氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延
Large Lattice-Mismatched Heteroepitaxial Growth of Nitride Wide Bandgap Semiconductors by MOCVD
摘要
关键词
氮化镓/氮化铝/金属有机化学气相沉积(MOCVD)/大失配异质外延/宽禁带半导体分类
数理科学引用本文复制引用
沈波,杨学林,许福军..氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J].人工晶体学报,2020,49(11):1953-1969,17.基金项目
国家重点研发计划(2018YFE0125700,2016YFB0400100) （2018YFE0125700,2016YFB0400100）
国家自然科学基金(1634002,61521004,61927806) （1634002,61521004,61927806）
