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氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展

张育民 王建峰 蔡德敏 徐俞 王明月 胡晓剑 徐琳 徐科

人工晶体学报2020，Vol.49Issue(11)：1970-1983,14.
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人工晶体学报2020，Vol.49Issue(11)：1970-1983,14.

氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展

Progress on GaN Single Crystal Substrate Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy

张育民 1王建峰 2蔡德敏 1徐俞 2王明月 2胡晓剑 1徐琳 2徐科1

作者信息

  • 1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
  • 2. 苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215123
  • 折叠

摘要

关键词

氢化物气相外延生长/氮化镓/晶体生长/掺杂/光电性能/缺陷

分类

数理科学

引用本文复制引用

张育民,王建峰,蔡德敏,徐俞,王明月,胡晓剑,徐琳,徐科..氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J].人工晶体学报,2020,49(11):1970-1983,14.

基金项目

国家重点研发计划(2017YFB0404101,2017YFB0403000) （2017YFB0404101,2017YFB0403000）

国家自然科学基金(61704187) （61704187）

中国科学院前沿科学重点研究计划项目(QYZDB-SSW-SLH042) （QYZDB-SSW-SLH042）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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