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氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望

姜元希 刘南柳 张法碧 王琦 张国义

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(11):2038-2045,8.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(11):2038-2045,8.

氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望

Development and Trends of GaN Single Crystal Substrate Fabrication Technology

姜元希 1刘南柳 2张法碧 2王琦 1张国义2

作者信息

  • 1. 桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林 541004
  • 2. 北京大学东莞光电研究院,东莞 523808
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓/单晶衬底/同质外延/氨热法/钠流法

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姜元希,刘南柳,张法碧,王琦,张国义..氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望[J].人工晶体学报,2020,49(11):2038-2045,8.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(61974005) (61974005)

广东省重点领域研发计划(2020B010169001,2020B090922001) (2020B010169001,2020B090922001)

广东省区域联合基金重点项目(2019B1515120091) (2019B1515120091)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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