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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

贲建伟 孙晓娟 蒋科 陈洋 石芝铭 臧行 张山丽 黎大兵 吕威

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(11):2046-2067,22.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(11):2046-2067,22.

AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices

贲建伟 1孙晓娟 1蒋科 2陈洋 1石芝铭 2臧行 1张山丽 2黎大兵 1吕威2

作者信息

  • 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033
  • 2. 中国科学院大学,材料与光电研究中心,北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN基材料/外延生长/掺杂/紫外发光器件/紫外探测

分类

数理科学

引用本文复制引用

贲建伟,孙晓娟,蒋科,陈洋,石芝铭,臧行,张山丽,黎大兵,吕威..AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件[J].人工晶体学报,2020,49(11):2046-2067,22.

基金项目

国家杰出青年科学基金(61725403) (61725403)

国家重点研发计划(2016YFB0400904) (2016YFB0400904)

国家自然科学基金面上项目(61874118) (61874118)

苏州纳米所开放课题 ()

发光学及应用国家重点实验室开放课题(SKLA-Z-2020-04) (SKLA-Z-2020-04)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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