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AlGaN基深紫外发光二极管研究进展

吴峰 戴江南 陈长清

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(11):2079-2097,19.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(11):2079-2097,19.

AlGaN基深紫外发光二极管研究进展

Research Progress of AlGaN Based Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes

吴峰 1戴江南 1陈长清1

作者信息

  • 1. 华中科技大学,武汉光电国家研究中心,武汉 430074
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摘要

关键词

AlGaN/深紫外LED/内量子效率/光提取效率/电光转换效率

分类

数理科学

引用本文复制引用

吴峰,戴江南,陈长清..AlGaN基深紫外发光二极管研究进展[J].人工晶体学报,2020,49(11):2079-2097,19.

基金项目

国家自然科学基金(61904184,61874043) (61904184,61874043)

上海市自然科学基金(18ZR1445900) (18ZR1445900)

中央高校基本科研业务费专项资金(5003187085) (5003187085)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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