人工晶体学报2020，Vol.49Issue(11)：2128-2138,11.
4H-SiC半导体同质外延生长技术进展
Progress in Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Semiconductor
摘要
关键词
4H-SiC/宽禁带半导体/外延生长/化学气相沉积分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
冯淦,孙永强,钱卫宁,陈志霞..4H-SiC半导体同质外延生长技术进展[J].人工晶体学报,2020,49(11):2128-2138,11.基金项目
国家重点研发计划(2016YFB0400403) （2016YFB0400403）
