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高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

张晋 胡壮壮 穆文祥 田旭升 冯倩 贾志泰 张进成 陶绪堂 郝跃

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(11):2194-2199,6.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(11):2194-2199,6.

高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

High Qualityβ-Ga2 O3 Single Crystal and Fabrication of Schottky Diode

张晋 1胡壮壮 2穆文祥 1田旭升 2冯倩 2贾志泰 1张进成 2陶绪堂 1郝跃2

作者信息

  • 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100
  • 2. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
  • 折叠

摘要

关键词

氧化镓单晶/导模法/n型掺杂/肖特基二极管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张晋,胡壮壮,穆文祥,田旭升,冯倩,贾志泰,张进成,陶绪堂,郝跃..高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备[J].人工晶体学报,2020,49(11):2194-2199,6.

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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