人工晶体学报2020，Vol.49Issue(11)：2206-2210,5.
偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究
New Type of Triangular Defects in 4H-SiC 4°Off-Axis Homoepitaxial Layers
摘要
关键词
4H-SiC/同质外延生长/三角形缺陷/形成机理分类
数理科学引用本文复制引用
胡继超,王曦,贾仁需,蒲红斌,陈治明..偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J].人工晶体学报,2020,49(11):2206-2210,5.基金项目
国家自然科学基金(61904146) （61904146）
陕西省教育厅自然科学专项项目(18JK0585) （18JK0585）
陕西省重点研发计划(2018ZDXM-GY-003,2018ZDCXL-GY-01-01-01) （2018ZDXM-GY-003,2018ZDCXL-GY-01-01-01）
