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多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

邓真宇 陈民铀 赖伟 李辉 王晓 李金元 杜耀婷

中国电力2020，Vol.53Issue(12)：10-17,8.
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中国电力2020，Vol.53Issue(12)：10-17,8.DOI:10.11930/j.issn.1004-9649.202004065

多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

Influence of Uneven Temperature on Current Distribution in Paralleled Multi-Chips Press Pack IGBT

邓真宇 1陈民铀 1赖伟 1李辉 1王晓 1李金元 2杜耀婷3

作者信息

  • 1. 重庆大学 电气工程学院,重庆 400044
  • 2. 全球能源互联网研究院有限公司,北京 102206
  • 3. 国网重庆市电力公司南岸供电分公司,重庆 400060
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摘要

关键词

压接式IGBT/温度分布/电流分布/并联/均流

引用本文复制引用

邓真宇,陈民铀,赖伟,李辉,王晓,李金元,杜耀婷..多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响[J].中国电力,2020,53(12):10-17,8.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51707024):国家自然科学基金-国家电网公司联合基金重点资助项目(U1966213). （51707024）

中国电力

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-9649

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