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IGBT器件封装用有机硅凝胶宽频介电特性与温度影响

毛塬 李学宝 顼佳宇 赵志斌 崔翔

中国电力2020,Vol.53Issue(12):45-54,10.
中国电力2020,Vol.53Issue(12):45-54,10.DOI:10.11930/j.issn.1004-9649.202007124

IGBT器件封装用有机硅凝胶宽频介电特性与温度影响

Broadband Dielectric Properties and Temperature Effects of Silicone Gel for IGBT Device Encapsulation

毛塬 1李学宝 1顼佳宇 1赵志斌 1崔翔1

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室 华北电力大学 北京 102206
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摘要

关键词

有机硅凝胶/宽频介电谱/温度/Cole-Cole模型/特征参量

引用本文复制引用

毛塬,李学宝,顼佳宇,赵志斌,崔翔..IGBT器件封装用有机硅凝胶宽频介电特性与温度影响[J].中国电力,2020,53(12):45-54,10.

基金项目

国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金资助(U1766219). (U1766219)

中国电力

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-9649

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