电子科技2021，Vol.34Issue(1)：31-35,59,6.DOI:10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2021.01.006
一种低功耗4H-SiCIGBT的仿真研究
Simulation Study of a Low Power 4 H-SiC IGBT
摘要
关键词
4H-SiC/IGBT/击穿电压/关断能量损耗/正向压降/Silvaco TCAD分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
苏芳文,毛鸿凯,隋金池,林茂,张飞..一种低功耗4H-SiCIGBT的仿真研究[J].电子科技,2021,34(1):31-35,59,6.基金项目
浙江省杰出青年基金(LR17F040001) （LR17F040001）
