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Cr元素掺杂碳化硅导致铁磁性的第一性原理研究

唐盛安 张根发 毛飞

南华大学学报(自然科学版)2020,Vol.34Issue(6):73-77,5.
南华大学学报(自然科学版)2020,Vol.34Issue(6):73-77,5.DOI:10.19431/j.cnki.1673-0062.2020.06.013

Cr元素掺杂碳化硅导致铁磁性的第一性原理研究

Study of the Ferromagnetism of Cr Doped SiC Based on First-Principles Calculations

唐盛安 1张根发 1毛飞1

作者信息

  • 1. 南华大学 核科学技术学院,湖南 衡阳421001
  • 折叠

摘要

关键词

稀磁半导体/第一性原理/电子结构/室温铁磁性/形成能

分类

数理科学

引用本文复制引用

唐盛安,张根发,毛飞..Cr元素掺杂碳化硅导致铁磁性的第一性原理研究[J].南华大学学报(自然科学版),2020,34(6):73-77,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11975119 ()

11505092) ()

湖南省教育厅科学研究项目(18B261) (18B261)

南华大学学报(自然科学版)

1673-0062

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