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HgCdTe反型层中自旋轨道耦合、塞曼效应及界面粗糙涨落效应研究

涂华垚 吕蒙 张松然 俞国林 孙艳 康亭亭 陈鑫 戴宁

红外与毫米波学报2020，Vol.39Issue(6)：684-689,6.
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红外与毫米波学报2020，Vol.39Issue(6)：684-689,6.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2020.06.004

HgCdTe反型层中自旋轨道耦合、塞曼效应及界面粗糙涨落效应研究

Spin-orbit coupling and Zeeman effect in HgCdTe inversion layer with interface microroughness

涂华垚 1吕蒙 2张松然 1俞国林 1孙艳 3康亭亭 1陈鑫 1戴宁1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
  • 2. 中国科学院大学,北京 100084
  • 3. 上海理工大学材料科学与工程学院,上海 200093
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摘要

关键词

碲镉汞/自旋轨道耦合/塞曼效应/界面粗糙涨落效应

分类

数理科学

引用本文复制引用

涂华垚,吕蒙,张松然,俞国林,孙艳,康亭亭,陈鑫,戴宁..HgCdTe反型层中自旋轨道耦合、塞曼效应及界面粗糙涨落效应研究[J].红外与毫米波学报,2020,39(6):684-689,6.

基金项目

国家重点研发计划(2016YFA0202200),国家自然科学基金(11774367) （2016YFA0202200）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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