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Ge/Si异质键合界面纳米级氧化层对Ge/Si异质结光电特性调控机制

彭强 柯海鹏 李杏莲 林鑫 柯少颖 周锦荣

硅酸盐学报2021,Vol.49Issue(1):180-188,9.
硅酸盐学报2021,Vol.49Issue(1):180-188,9.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20200325

Ge/Si异质键合界面纳米级氧化层对Ge/Si异质结光电特性调控机制

Effect of Nano-sized Oxide Layer at Ge/Si Heterogeneous Bonded Interface on Regulatory Mechanism of Photoelectric Characteristics of Ge/Si Heterojunction

彭强 1柯海鹏 2李杏莲 1林鑫 1柯少颖 1周锦荣1

作者信息

  • 1. 闽南师范大学物理与信息工程学院,福建漳州 363000
  • 2. 福建省漳州第一职业中专学校,福建漳州 363000
  • 折叠

摘要

关键词

锗/硅异质键合/晶格失配/界面氧化层/电场

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

彭强,柯海鹏,李杏莲,林鑫,柯少颖,周锦荣..Ge/Si异质键合界面纳米级氧化层对Ge/Si异质结光电特性调控机制[J].硅酸盐学报,2021,49(1):180-188,9.

基金项目

国家自然科学基金(62004087) (62004087)

福建省自然科学基金(2020J01815) (2020J01815)

漳州市自然科学基金(ZZ2020J32) (ZZ2020J32)

闽南师范大学校长基金(KJ19014) (KJ19014)

教育部产学合作协同育人项目(201802071003,201901253005,201901256013). (201802071003,201901253005,201901256013)

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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