人工晶体学报2020，Vol.49Issue(12)：2244-2251,8.
He离子注入对Ge中缺陷行为的影响研究
Effect of He Ion Implantation on the Defect Behaviour in Ge
摘要
关键词
He离子注入/射程/缺陷空位数/绝缘体上Ge分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
柯海鹏,欧雪雯,柯少颖..He离子注入对Ge中缺陷行为的影响研究[J].人工晶体学报,2020,49(12):2244-2251,8.基金项目
国家自然科学基金(62004087) （62004087）
福建省自然科学基金(2020J01815) （2020J01815）
漳州市自然科学基金(ZZ2020J32) （ZZ2020J32）
闽南师范大学校长基金(KJ19014) （KJ19014）
