人工晶体学报2020，Vol.49Issue(12)：2261-2267,7.
基于第一性原理的二维g-AlN材料p型掺杂研究
Study on p-Type Doping of Two-Dimensional g-AlN Materials Based on First-Principles
摘要
关键词
二维g-AlN/第一性原理/带电缺陷计算/电荷转移能级/p型掺杂/缺陷形成能分类
数理科学引用本文复制引用
肖文君,刘天运,刘雪飞..基于第一性原理的二维g-AlN材料p型掺杂研究[J].人工晶体学报,2020,49(12):2261-2267,7.基金项目
国家自然科学基金(11664005) （11664005）
贵州省科学技术基金(黔科合J字[2020]1Y021) （黔科合J字[2020]1Y021）
