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In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究

王一 丁召 魏节敏 杨晨 罗子江 王继红 郭祥

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(12):2268-2273,6.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(12):2268-2273,6.

In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究

Nucleation and Diffusion of In Atom on GaAs(001) Surface

王一 1丁召 2魏节敏 1杨晨 2罗子江 3王继红 2郭祥1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程院, 贵阳 550025
  • 2. 教育部半导体功率器件可靠性工程中心, 贵阳 550025
  • 3. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025
  • 折叠

摘要

关键词

InAs量子点/In沉积量/液滴外延/临界厚度/成核机理/光电特性

分类

数理科学

引用本文复制引用

王一,丁召,魏节敏,杨晨,罗子江,王继红,郭祥..In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究[J].人工晶体学报,2020,49(12):2268-2273,6.

基金项目

国家自然科学基金(11664005,61564002) (11664005,61564002)

贵州省科学技术基金(黔科合[2017]1055) (黔科合[2017]1055)

教育部半导体功率器件可靠性研究中心开放项目(ERCMEKFJJ2019-(08)) (ERCMEKFJJ2019-(08)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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