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单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟

陈云 蔡厚道

人工晶体学报2020,Vol.49Issue(12):2287-2291,2307,6.
人工晶体学报2020,Vol.49Issue(12):2287-2291,2307,6.

单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟

Numerical Simulation of Monolayer n-Type MoS2/p-Type c-Si Heterojunction Solar Cells

陈云 1蔡厚道1

作者信息

  • 1. 江西科技学院智能工程学院,南昌 330098
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摘要

关键词

二硫化钼/c-Si/异质结太阳电池/转换效率/二维材料/数值模拟

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

陈云,蔡厚道..单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟[J].人工晶体学报,2020,49(12):2287-2291,2307,6.

基金项目

江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ180974) (GJJ180974)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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